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在单开关准谐振反激或LLC等软开关拓扑中，16–60kHz是兼顾EMI性能与磁性元件尺寸的常用开关频段。然而，在此频率范围内，传统IGBT常因关断拖尾电流大、导通压降高而难以兼顾效率与可靠性。意法半导体（ST）推出的 IH2系列沟槽栅极场截止（TGFS）IGBT，通过优化载流子分布与集成低压降续流二极管，显著降低导通与关断损耗，成为该频段高性价比电源设计的理想选择。
IH2系列采用 先进TGFS架构，在维持高击穿电压的同时，实现更低的饱和压降（VCE(sat)）和更短的关断拖尾时间。关键特性包括：
低导通损耗：典型VCE(sat) 在25°C、IC=IC,nom 条件下可低至1.7V，显著优于上一代平面栅IGBT；
优化关断能耗（Eoff）：沟槽结构有效抑制关断时的少数载流子存储效应，减少尾电流，使Eoff降低15%–20%；
集成软恢复二极管：反并联二极管具备低正向压降（VF）与软恢复特性，减少反向恢复引起的电压尖峰与EMI噪声；
高结温能力：最高工作结温达 175°C，配合低热阻封装，提升系统在高温环境下的长期可靠性。
意法半导体的IH2系列现提供 1350V 与 1600V 两种耐压等级，满足不同输入母线需求：
STGWA25IH135DF2 / STGWA35IH135DF2：适用于通用工业电源（如85–265VAC输入经PFC后约400V母线），35A型号可支持更高功率密度设计；
STGWA30IH160DF2（1600V/30A）：专为宽输入或存在高压浪涌场景设计（如三相整流后800V母线），1600V击穿电压提供充足安全裕量，减少外部TVS或缓冲电路依赖。
所有器件均采用 TO-247长引线封装，便于散热器安装，并具备正温度系数的VCE(sat)，支持多管并联以扩展电流能力。
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在单开关准谐振转换器中，建议：
利用IGBT的软开关特性，在谷底开通以最小化开关损耗；
优化栅极驱动电阻（Rg）以平衡开关速度与电压过冲；
充分利用175°C结温能力，在紧凑结构中合理设定热设计目标；
对于1600V型号，可简化输入端的过压保护电路，降低BOM成本。
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