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在USB-PD快充与小型化电源需求持续攀升的背景下，意法半导体（ST）正式推出 VIPerGaN50W ——其全新GaN反激式转换器系列的首款产品。该器件将 700V GaN功率晶体管、反激控制器与优化栅极驱动器 高度集成于单一封装内，显著降低系统复杂度与BOM成本，助力开发者快速实现50W级高功率密度、高能效且全负载静音运行的充电器与辅助电源设计。
VIPerGaN50W在全负载范围内采用 零电压开关（ZVS）准谐振模式，大幅降低开关损耗。针对轻载至中高负载工况，芯片引入 频率折返与跳谷底（Valley Skipping）技术，有效抑制开关频率上升以提升效率。尤为关键的是，ST独有的 “谷底锁”算法 能稳定跳过的谷底数量，避免开关频率落入20Hz–20kHz音频范围，彻底消除传统反激转换器常见的“啸叫”问题，确保用户在夜间或安静环境中获得无干扰体验。
在空载状态下，器件自动进入突发模式（Burst Mode），待机功耗 低于30mW，轻松满足欧盟CoC V5、美国DoE Level VI等全球严苛能效法规。
传统GaN反激方案需外置驱动电阻、电感匹配及高压启动电路，调试周期长。而VIPerGaN50W内置 自适应栅极驱动器，省去对栅极电阻和缓冲网络的精细调校；同时集成 高压启动单元 与 senseFET电流检测，无需光耦即可实现初级侧稳压，进一步简化副边电路。
封装采用紧凑型 5mm × 6mm PQFN，热性能优异，支持高功率密度布局。配合已上市的 EVLVIPGAN50WF评估板（输出15V/50W，支持90–265VAC宽输入），开发者可快速验证同步整流、EMI优化及热管理策略，大幅缩短从原型到量产的周期。
为应对电网波动与负载突变，VIPerGaN50W引入多项先进控制机制：
输入电压前馈控制：在高压输入时自动限制最大输出功率，防止过设计；
动态消隐时间控制：根据工作状态调整电流检测消隐窗口，抑制误触发并降低损耗；
多重保护机制：涵盖输入/输出过压、过温关断、输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO），确保极端工况下安全运行。
如需VIPerGaN50W等产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。太阳集团网站游戏代理销售意法半导体（ST）旗下全系列IC电子元器件，承诺100%原厂原装正品，现货供应、一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。
在单开关准谐振反激或LLC等软开关拓扑中，16–60kHz是兼顾EMI性能与磁性元件尺寸的常用开关频段。然而，在此频率范围内，传统IGBT常因关断拖尾电流大、导通压降高而难以兼顾效率与可靠性。意法半导体（ST）推出的 IH2系列沟槽栅极场截止（TGFS）IGBT，通过优化载流子分布与集成低压降续流二极...【详情+】
在非易失性存储器（NVM）的多元技术图谱中，EEPROM或许不是最“快”的，却始终是最“稳”的选择之一。自上世纪80年代问世以来，这项已近40年历史的技术凭借其字节级擦写粒度、超长数据保留时间、高耐久性与低功耗特性，持续活跃于汽车电子、可穿戴设备、工业传感器乃至新兴边缘AI等关键领...【详情+】
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