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Nuvoton量产1.7W 402nm紫光激光器,突破小型化与高功率瓶颈
发布时间:2025-12-28
在光学系统持续向高集成度、低功耗和长寿命演进的背景下,Nuvoton Technology(新唐科技)宣布将于2026年3月起量产一款业界领先的1.7W 402nm紫色半导体激光器。该产品采用标准TO-56 CAN封装,在维持紧凑尺寸的同时,实现同波段同封装下全球最高光功...
新唐科技超低导通电阻MOSFET登场:快充发热难题迎刃而解
发布时间:2025-12-28
在智能手机、TWS耳机、智能手表及AR/VR设备对快充性能要求日益严苛的背景下,高功率密度带来的温升问题已成为制约充电速度与安全性的关键瓶颈。近日,一款面向消费电子快充应用的超低导通内阻MOSFET系列正式发布,以最低仅0.9 mΩ的RDS(on)刷新...
瑞萨电子推出RoX AI Studio:加速软件定义汽车的开发
发布时间:2025-12-28
随着软件定义汽车(SDV)概念的兴起,汽车行业正经历一场前所未有的变革。传统的线性硬件优先设计流程逐渐被更高效的软件优先策略所取代,这一转变不仅提升了研发效率,还推动了整个行业向更加智能化、互联化的方向发展。瑞萨电子作为全球领先的半...
英飞凌QDPAK顶部散热封装安装指南:优化热性能的关键实践
发布时间:2025-12-28
英飞凌推出的 QDPAK(Qualified DPAK)是面向600V以上高压应用的新一代表贴顶部散热(Top-Side Cooled, TSC)功率封装,属于其HDSOP系列(包括D-DPAK、TOLT、QDPAK),适用于SiC MOSFET、高压IGBT及二极管等高功率密度器件。该封装采用统一2.3 mm本体厚度...
安森美助力AI数据中心:优化供电架构,提升能效
发布时间:2025-12-28
随着人工智能(AI)技术的迅猛发展,数据中心正面临前所未有的能源消耗挑战。从内容生成到客服聊天机器人,AI 已经渗透进我们日常生活的方方面面。然而,数据处理量的激增与AI模型训练需求的增长,使得数据中心的电力消耗急剧膨胀,引发了关于其可持续...
Littelfuse推业界首款非对称TVS二极管,专为12V汽车防反接保护优化
发布时间:2025-12-27
在汽车电子系统日益复杂、12V电池平台仍广泛应用于车身控制与辅助系统的背景下,Littelfuse(力特)近日正式推出 TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管(包括TPSMB2412CA、TPSMB2616CA、TPSMB2818CA和TPSMB3018CA),成为业内首个专为12V电池防反接保护设计...
深度解析IGBT:从结构到可靠性测试
发布时间:2025-12-27
在电力电子领域,绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 因其高效率、低损耗特性而广泛应用于工业驱动、可再生能源转换系统及电动汽车等领域。本文将深入探讨IGBT的器件结构、损耗计算方法、并联设计考量以及可靠性测试,帮助工程师全面理解这一关键组件。P...
SN74AHCT244 (德州仪器八通道同相缓冲器/线路驱动器)中文参数
发布时间:2025-12-27
SN74AHCT244 是德州仪器(TI)一款高性能八通道同相缓冲器/线路驱动器,具备TTL电平输入兼容性、强驱动能力及高抗闩锁特性,广泛应用于工业控制、通信接口扩展和微控制器I/O增强等工程实践中。核心电气特性与逻辑兼容性SN74AHCT244工作于标准5V电...
IPT017N12NM6 (英飞凌MOSFET)中文参数 附引脚图及典型应用电路图
发布时间:2025-12-27
IPT017N12NM6 是英飞凌(Infineon)一款采用创新 TO-Leadless(TOLL)无引线封装,具备 120 V 耐压 与仅 1.7 mΩ 的超低导通电阻(RDS(on)),为服务器电源、电动工具、工业逆变器及车载充电(OBC)等应用提供新一代硅基解决方案。性能跃升:全面优化的关键参数...
海外芯片涨价潮下,中微爱芯提供稳定国产替代方案
发布时间:2025-12-27
随着 ADI 和 TI 等国际半导体巨头相继宣布从2025年8月和2026年2月起对旗下产品进行大幅度调价,工业级产品涨幅约15%,军规及航天级更是高达30%,全球电子供应链再次面临成本上升与交期不确定性的双重压力。在此背景下,寻求成熟、可靠且价格稳定...
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