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随着光伏与储能系统母线电压从1500V迈向2000V，行业正迎来新一轮功率密度与经济性提升的机遇。然而，电压等级的跃升也对系统绝缘安全、器件耐压能力及信号隔离可靠性提出了更高要求。作为高低压域之间的关键屏障，隔离类芯片在保障人身安全与设备稳定运行中扮演着不可替代的角色。
母线电压升高主要源于光伏组件输出能力增强及“高电压、低电流”带来的系统成本优势（P = U × I）。但随之而来的是对隔离器件工作电压、爬电距离（CPG）和电气间隙（CLR）的严苛挑战。以2000Vdc系统为例，常规隔离芯片已难以满足基本绝缘要求。纳芯微现有隔离产品已支持最高2121Vdc工作电压，并通过宽体/超宽体封装设计（如NSI82xx数字隔离器、NSI6801EC隔离驱动）显著提升CPG与CLR，确保符合IEC/UL等国际安规标准。同时，基于Adaptive OOK®调制技术，其隔离器件在高dv/dt噪声环境下仍保持优异信号完整性。
在500+kW级组串式逆变器与储能变流器中，系统拓扑正加速向SiC两电平或三电平演进。SiC器件的高开关频率与高耐压特性要求驱动电路具备更快响应速度、更强抗扰能力及更高拉灌电流能力。纳芯微推出的NSI660x系列隔离栅极驱动器专为SiC优化，支持高达200kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），有效抑制高压开关噪声。而NSI6801系列则采用电流型输入结构，进一步提升驱动鲁棒性，适用于复杂电磁环境下的高可靠性场景。
高压侧电流采样同样面临精度与抗干扰的双重挑战。当前主流方案分为霍尔传感器与分流器+隔离运放两类。纳芯微NSM201x-P系列霍尔电流传感器通过优化灵敏度与零点温漂，在±65A范围内实现全温区高线性输出，并显著提升EMC性能，适用于DC侧MPPT电流检测。对于更高精度需求，NSI13xx系列隔离采样芯片提供多样化选择：NSI1300/1200增强型隔离运放与NSI1306 Sigma-delta调制器适用于相电流采样；NSI1311则凭借2V线性输入范围与高输入阻抗，精准支撑2000V母线电压监测。
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近日，纳芯微凭借其在车规级芯片领域的深厚积累和系统级创新能力，在由盖世汽车主办的“2025第七届金辑奖——中国汽车新供应链百强”评选中脱颖而出，荣膺殊荣。作为中国汽车产业链的重要风向标，“金辑奖”旨在表彰那些对行业技术进步和产业升级做出卓越贡献的企业。此次获奖不仅体...【详情+】
纳芯微近日正式推出NS800RT115x系列高性价比实时控制MCU，基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达200 MHz，专为汽车电子与工业控制领域设计，兼顾高性能、高可靠性与功能安全需求。该系列MCU采用高性能Cortex®-M7内核，配备8 KB L1-Cache、256 KB嵌入式Flash和总计80 KB TCM，全部支持ECC...【详情+】
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