士兰微双线齐发：8英寸SiC通线、12英寸模拟芯片开工，加速国产高端制造

来源：士兰微| 发布日期：2026-01-06 15:03:34 浏览量：

2026年1月4日，厦门海沧——在新能源与AI算力浪潮席卷全球的背景下，中国半导体领军企业士兰微电子迎来历史性时刻：其自主研发的8英寸碳化硅（SiC）正式通线，同步启动投资百亿元的12英寸高端模拟集成电路制造项目。这一“双线并举”战略，不仅标志着士兰微在第三代半导体和高端模拟芯片领域实现从技术突破到规模化制造的关键跨越，更彰显了中国本土企业在功率半导体与特色工艺赛道上的自主进阶决心。

此次通线的8英寸SiC产线，是士兰微完全自主攻克8英寸碳化硅晶圆制造中高温离子注入、外延缺陷控制、界面钝化等核心工艺难题后的成果。项目总投资120亿元，一期达产后将形成年产42万片8英寸SiC芯片的能力，全面覆盖新能源汽车主驱/OBC、光伏逆变器、储能系统、超充桩及AI服务器电源等高增长场景。凭借SiC器件在耐高压、低损耗、高频率方面的天然优势，该产线将助力客户显著提升系统能效与功率密度，直面特斯拉、比亚迪、华为数字能源等头部客户的严苛车规与工业标准。

与此同时，士兰微宣布启动12英寸高端模拟芯片产线建设，首期投资100亿元，聚焦汽车电子、大算力服务器、机器人、风光储一体化及5G通信等高端市场。该项目计划于2027年Q4初步通线，2030年全面达产，最终形成年产54万片12英寸模拟芯片的制造能力。这不仅是对国内高端模拟芯片长期依赖进口的有力回应，更将强化士兰微在BCD、高压CMOS、SOI等特色工艺平台上的垂直整合优势。

士兰微董事长陈向东强调：“这两条产线不只是产能扩张，更是我们与客户共建‘技术协同、供应稳定、响应敏捷’生态体系的基石。”总裁郑少波则重申“质量为先、技术为核、交付为诺”的承诺，表示公司将紧抓汽车电动化与AI算力爆发的时代机遇，提供高可靠性、高集成度的系统级解决方案。

中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰高度评价：“士兰微已成长为家电与车规电子领域的头部力量，此次双线落地，既契合国家战略，也引领产业高质量发展。”

活动现场，来自产业链上下游的数百位客户与合作伙伴参观了洁净厂房，并深入了解士兰微在车载域控制器、800V高压平台、服务器多相VR等前沿方案的进展。随着这两条产线逐步释放产能，士兰微正从“国产替代”迈向“全球竞争”，为中国半导体产业链的自主可控与高端跃升注入强劲动能。

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