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在电子电路中，肖特基二极管（Schottky Diode）和稳压二极管（Zener Diode）都是常用半导体器件，但它们的结构、工作原理和应用场景截然不同。混淆两者可能导致电路失效。本文从五个维度系统对比其差异。
1. 基本功能不同
肖特基二极管：主要用于单向导通与快速整流，利用金属-半导体结实现低正向压降（通常0.15–0.45V）和纳秒级开关速度。
稳压二极管：专用于电压基准或过压钳位，工作在反向击穿区，利用可控的齐纳击穿或雪崩效应维持稳定电压（如3.3V、5.1V、12V等）。
2. 工作区域相反
肖特基二极管仅在正向偏置下工作，反向耐压较低（通常<100V），且反向漏电流较大；一旦反向电压过高，会不可逆损坏。
稳压二极管则主要在反向偏置下工作，设计时就允许其进入反向击穿状态，只要电流在限流电阻控制范围内，即可长期稳定工作而不损坏。
3. 内部结构差异
肖特基二极管由金属（如铂、钼）与N型半导体形成肖特基势垒，无少数载流子存储效应，因此开关速度快；
稳压二极管是高度掺杂的PN结，通过精确控制掺杂浓度来设定击穿电压——低于5V以齐纳效应为主，高于7V以雪崩效应为主。
4. 典型应用场景
肖特基：
开关电源输出整流（如DC-DC转换器）；
电池反接保护；
高频检波或续流二极管（如电机驱动中的Flyback路径）。
稳压二极管：
简易稳压电路（如为MCU提供3.3V参考）；
过压保护（配合TVS或MOSFET）；
电压箝位（防止信号超过ADC输入范围）。
5. 关键参数对比
常见误区：
有人误用稳压二极管作整流，因其正向特性类似普通二极管，但其反向恢复慢、效率低；也有人试图用肖特基“稳压”，但其反向特性软、无稳定击穿点，无法提供基准电压。
总结：
肖特基二极管是“高效单向开关”，稳压二极管是“反向电压锚点”。理解其物理机制与工作模式，才能在电源、保护、信号调理等电路中正确选用，避免设计陷阱。
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