纳芯微助力国产汽车芯片发展，驱动与传感器技术双突破

作为中国汽车芯片领域的领军企业，纳芯微积极参与了《汽车芯片专题技术路线图3.0》的编制工作。纳芯微技术专家方舟（专注于驱动芯片领域）与谢奔（磁传感器领域）受邀担任专家组成员，共同探讨并制定了车规级传感器与驱动芯片等关键领域的技术方向、发展目标及标准框架，为推动国产汽车芯片产业的发展贡献了宝贵的行业洞察和技术实践。

驱动芯片：高性能与集成化趋势

在驱动芯片领域，《路线图3.0》明确了未来的技术发展方向——向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。特别是在栅极驱动方面，关键技术趋势包括提升驱动电流能力、提供智能驱动电流调节以及增强共模瞬变抗干扰度。工艺技术上，垂直MOS工艺、垂直BCD工艺和车规耐高压工艺将是重点攻关方向。预计到2040年，通过设计与工艺优化，桥驱与高边导通内阻将进一步降低，全面支持48V系统的需求。

纳芯微在这一领域已经取得了显著成就。截至目前，其栅极驱动产品累计出货量已超过11亿颗，其中约3.9亿颗应用于新能源汽车领域，广泛覆盖电驱、OBC/DCDC等核心系统，在国内电驱市场份额中占据首位。这些成果不仅体现了纳芯微在技术创新上的持续投入，也彰显了其产品的市场竞争力。 

磁传感器：先进制程与多功能集成

在磁传感器领域，《路线图3.0》强调了技术发展的几个关键点：采用先进制程、实现多功能集成、追求低功耗与高精度，并向智能化迈进。例如，集成式电流传感器将成为未来发展的重点，将致力于突破高性能补偿与封装技术。预计到2035年，超低阻抗封装及应力、相位补偿优化将取得实质性进展；而到2040年，多芯片封装能力和功能安全水平将进一步提升。

纳芯微在磁传感器领域同样表现出色。截至目前，其磁传感器累计出货量已经超过20亿颗。2024年完成对麦歌恩的并购后，纳芯微进一步扩大了产品线，涵盖了霍尔效应、AMR（各向异性磁电阻）、TMR（隧道磁电阻）等多种技术路线，产品广泛应用于轮速、角度、电流检测等关键场景，并已在多款热销车型中实现了量产装车。这标志着纳芯微在国产厂商中的领先地位得到了巩固。

推动国产化进程，助力智能电动汽车创新

秉持“开放共生”的产业理念，纳芯微不仅通过参与标准制定、产学研联合攻关与行业交流来促进汽车电子芯片的国产化，还发布了《汽车电子解决方案手册》《产品选型指南》《栅极驱动手册》等一系列资料，系统地展示了其在传感器、信号链、电源管理等领域的产品布局。这些举措旨在帮助客户更快捷地找到适合自身需求的解决方案，加速智能电动汽车的创新落地。

从深度参与到《路线图3.0》的编制，到构建涵盖汽车电子全场景的系统方案，纳芯微正在以实际行动推动中国汽车芯片产业向高效、低碳、智能化方向发展。随着全球汽车行业向电动化、智能化转型的步伐加快，纳芯微正凭借其深厚的技术积累和创新能力，为中国汽车产业的转型升级注入强大动力，共同打造更加安全、绿色、可持续的汽车新生态。

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