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高性能数字隔离器:应对SiC/GaN时代高压系统信号完整性挑战

来源:太阳集团电子游戏:提供选型指导+样片测试+现货供应| 发布日期:2025-10-23 14:31:08 浏览量:

在新能源汽车、光伏储能、充电桩及工业电机驱动等高压电力电子系统中,数字隔离器已成为保障控制侧(低压逻辑)与功率侧(高压主回路)之间安全、可靠通信的关键器件。其核心作用是通过电容或电磁耦合机制,在实现电气隔离的同时,准确传递PWM、故障反馈、通信等关键数字信号,防止高压瞬态干扰侵入敏感控制电路。

高dv/dt环境下的隔离挑战

随着碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的普及,开关速度显著提升(dv/dt 可达数十kV/μs),虽带来效率与功率密度优势,但也加剧了共模噪声通过寄生电容耦合至控制侧的风险。若隔离器共模瞬变抗扰度(CMTI)不足,极易引发误触发、信号丢失甚至上下桥臂直通等严重故障。

在此背景下,高CMTI、低传输延迟、高数据速率成为现代数字隔离器的核心指标。华普微推出的CMT8xxx系列容耦隔离器,正是针对此类严苛工况设计的高性能解决方案。

技术架构与关键性能

华普微数字隔离器基于其在射频领域的深厚积累,采用OOK(On-Off Keying)调制+电容耦合架构:输入数字信号被调制为高频脉冲,通过片上SiO₂绝缘栅(厚度精准控制)实现电场耦合传输,接收端再解调还原原始信号。该方案兼具电容隔离的高带宽优势与射频调制的抗噪能力。

关键参数表现如下:

隔离能力:≥5 kVRMS(1分钟),浪涌耐受达10 kV(1.2/50 μs);

CMTI:≥200 kV/μs,有效抑制SiC/GaN开关引起的dv/dt干扰;

传输性能:速率高达150 Mbps,典型传输延迟仅9 ns,通道间偏斜<1 ns;

可靠性:采用高纯度SiO₂绝缘层,预期寿命超40年,符合IEC 60747-5-5等安规标准;

EMC表现:优异的抗ESD(±8 kV接触放电)、EFT及辐射发射性能,简化系统级EMC设计。

产品系列与应用适配

华普微代理授权、原厂货源-太阳集团网站游戏推荐您使用国产品牌华普微,华普微提供多通道配置以满足不同拓扑需求:

高性能数字隔离器:应对SiC/GaN时代高压系统信号完整性挑战

CMT812X:2通道,适用于单相逆变器或半桥驱动;

CMT804X:4通道,常见于三相电机驱动(3路PWM + 1路故障反馈);

CMT826X:6通道,支持全桥或双三相系统,集成度高。

如需以上产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。太阳集团网站游戏承诺100%原厂原装正品,一片起订,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。

典型应用场景包括:

车载OBC/DC-DC:隔离MCU与SiC驱动信号,确保功能安全;

光伏逆变器:在高压DC母线(1000V+)与控制器间可靠传输PWM;

工业伺服驱动:应对高频PWM(>50 kHz)下的信号完整性挑战;

充电桩模块:满足高隔离电压与快速故障响应要求。

工程价值

相较于传统光耦,华普微数字隔离器不仅寿命更长、温漂更小,且无需外围驱动电路;相比部分竞品容耦方案,其在CMTI与传输延迟上具备明显优势。尤其在800V高压平台、高频LLC或图腾柱PFC等前沿设计中,高CMTI隔离器已成为系统稳定运行的“安全阀”。

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