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在新能源汽车、工业控制及高可靠性电源系统中，P沟道增强型MOSFET因其简化驱动电路、高安全性和稳定性能而被广泛应用。BSP170P作为英飞凌一款符合汽车标准的高性能P沟道场效应晶体管（FET），凭借其优异的电气特性与严苛环境适应能力，已成为电动汽车牵引逆变器等关键应用的理想选择。
电压等级：-60V（P沟道增强模式）
封装形式：SOT-223，低热阻、高功率密度，便于PCB布局与散热
关键性能：
快速开关能力：降低开关损耗，提升系统效率
雪崩额定值（Avalanche Rated）：可承受非钳位感性负载冲击，增强系统鲁棒性
dv/dt 额定：抗干扰能力强，适用于高频、高噪声环境
增强模式设计：常关型器件，提升系统安全性
环保与认证：
无铅镀层，符合 RoHS 与 无卤素 要求
符合AEC-Q101汽车电子标准
支持PPAP（生产件批准程序），满足车规级供应链要求
BSP170P不仅适用于传统工业电源，更在对可靠性要求极高的电动汽车动力系统中发挥关键作用。
✅ 电动汽车牵引逆变器（主驱/辅驱控制）
✅ 车载DC-DC转换器
✅ 电池管理系统（BMS）中的高边开关
✅ 工业电机驱动与电源保护电路
在电动汽车牵引逆变器中，BSP170P常用于高边开关或预充电路，其雪崩能力和dv/dt稳定性可有效应对电机反电动势和瞬态电压冲击。
BSP170PH6327XTSA1
BSP170PE6327T
BSP170PE6327
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