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AIoT与TinyML:驱动智能终端的未来
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Vishay发布1200V SiC MOSFET模块,重塑高频功率系统效率边界
发布时间:2025-12-09
在电动汽车、可再生能源与工业自动化对高效率、高功率密度电源系统需求激增的背景下,碳化硅(SiC)器件正加速替代传统硅基方案。近日,Vishay 宣布推出两款全新 1200 V SiC MOSFET 功率模块——VS-MPY038P120 与 VS-MPX075P120,凭借创新封装、低...
双管反激中SiC MOSFET关断电压不均问题的PCB寄生电容分析
发布时间:2025-12-08
在高压光伏与储能系统中,双管反激拓扑因其开关应力低、无需钳位电路等优势,常与1700V SiC MOSFET(如英飞凌的IMBF170R450M1)搭配使用。理论上,两个开关管共用一路PWM信号、同开同关,各自承受的关断电压应等于母线电压的一半。然而在实际调试中,工...
恩智浦MCX N系列MCU:集成NPU与双核Cortex-M33,赋能边缘AI新范式
发布时间:2025-12-08
在工业自动化、智能家居与物联网设备加速智能化的浪潮下,嵌入式系统对实时控制、低功耗与本地AI推理能力的需求空前高涨。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的 MCX N53、N52 和 N24 系列微控制器,凭借双核Arm Cortex-M33架构、4.8 GOPs专...
英飞凌落子格拉茨,建UWB应用实验室加速安全精准定位落地
发布时间:2025-12-08
在智能汽车、工业4.0与空间感知物联网快速演进的背景下,超宽带(UWB)技术正从“潜力股”迈向规模化商用的关键阶段。近日,英飞凌(Infineon)联合奥地利顶尖科研机构 Silicon Austria Labs(SAL),在格拉茨正式启用其全球首个 超宽带(UWB),旨在加速UWB从芯...
英飞凌数字控制+GaN方案赋能Anker 160W三口快充,树立高功率密度新标杆
发布时间:2025-12-08
英飞凌在消费电子快充产品持续向“小体积、高功率、高能效”演进的赛道上,功率密度已成为衡量技术实力的核心指标。2025年IFA柏林国际电子消费品展上,安克(Anker)正式发布 Prime 160W 三口氮化镓(GaN),单口最高支持140W输出,三口同时满载可达160W,...
H桥降压-升压IC的交替控制策略与瞬态响应优化
发布时间:2025-12-08
在输入电压可能高于或低于输出电压的应用中(如电池供电系统、LED驱动、便携设备电源),H桥降压-升压(Buck-Boost)单级转换器因其无需变压器、成本低于SEPIC等拓扑而广受青睐。然而,其多模态切换特性对控制环路设计和瞬态响应提出了挑战。本文从工...
英集芯发布双方案应对新国标,助力移动电源实现电池安全智能监测
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随着《移动电源安全技术规范》新国标(征求意见稿)的发布,行业正从“仅提供电能”向“具备电池状态感知与信息交互能力”的智能终端转型。新规明确要求移动电源需实时采集并传输 电池电压、温度、电流、循环次数及异常事件 等关键安全数据。为...
Vishay VORA1150:1500V车规固态继电器,专为800V电池绝缘监测设计
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VORA1150 是Vishay(威世半导体)一款 AEC-Q102认证的汽车级1 Form A固态继电器(SSR),采用紧凑型 4引脚SMD-8封装,专为800V电池系统的 绝缘电阻监测(IMD) 与 预充电控制 等关键功能而优化。关键电气特性与安全合规VORA1150的核心参数直击高压监测痛...
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