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16年300+全球知名电子元器件品牌代理分销经验
中微爱芯
中科芯(CKS)
芯源半导体
华普微电子
NXP恩智浦
AOS (万代)
Onsemi安森美
TI德州仪器
亚德诺ADI
英飞凌Infineon
ST意法半导体
Microchip微芯
Xilinx赛灵思
Renesas瑞萨
Intel/Altera
Atmel爱特梅尔
美信(Maxim)
华略微
普冉半导体
雅特力
屹晶微电子
Winbond华邦电子
长晶科技
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16年300+全球知名品牌电子元器件品牌代理分销经验

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覆盖多个领域,为您提供可靠元器件、成本控制及方案解决。

太阳集团电子游戏帮您解决芯片采购难题 为您提供省时、省心、省钱的一站式采购

01原厂优势渠道,常备现货,不怕比价

原厂代理授权。常备有Altera 、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI 、Maxim、I-CORE、CKS等,产品包括可编程逻辑器件、数字信号处理器、单片机微控制器、场效应管、IGBT单管、运放、存储、传感器等元器件。现货下单,2小时发货。

02提供免费样片测试、方案开发、技术支持

太阳集团电子游戏为终端客户提供免费样片测试。经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,工程师根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制,提高产品性能。提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案,大大节省选型费用。

03专业售前/后服务团队,让您售后无忧

我们80%以上销售人员拥有超6年的行业工作经验,为客户提供研发选型阶段的规格推荐、样片提供、技术支持及方案整合等专业服务。

走进太阳集团电子游戏

芯时代,芯未来
  • 太阳集团网站游戏,成立于2010年,是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一体的高科技企业,致力为客户提供可靠元器件、成本控制及方案解决。公司代理分销国内外品牌逾三百家,主要品牌有瑞萨电子、AOS、Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI、中微爱芯、武汉芯源、中科芯、上海普冉、长电/长晶等 ,产品线包括现场可编程逻辑器件、数字信号处理器、微处理器、微控制器、单片机、场效应管、IGBT单管、碳化硅、 运放、存储、传感器、可控硅等以及其它被动元器件;为客户提供一站式解决方案。

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新闻进行时

聚焦太阳集团电子游戏动态,获取芯片方向
安森美SiC技术助力AI数据中心储能革新

2026-02-05热门安森美SiC技术助力AI数据中心储能革新

随着人工智能(AI)应用的迅猛发展,AI数据中心的能耗与电力需求波动成为新的挑战。为了应对这些挑战,数据中心对储能技术和芯片提出了更高的要求——不仅需要高功率密度,还需具备快速响应能力以应对瞬时负载激增。安森美通过其垂直整合的SiC产业链和先进的功率模块技术,为AI数据中心提...

2026-02-05热门提升储能系统功率芯片性能:安森美EliteSiC的创新之路

在追求高功率密度和高转换效率的储能系统中,功率芯片的耐压、耐温和开关频率等关键性能指标至关重要。安森美通过材料创新、封装优化及系统级设计的协同突破,持续提升其EliteSiC系列功率芯片的核心性能,满足现代储能应用的严苛要求。材料创新:提升耐压与开关速度安森美的EliteSiC...

纳芯微NSL21912/16/24FS系列通过ISO 26262 ASIL B认证,推动汽车照明安全革新

纳芯微NSL21912/16/24FS系列通过ISO 26262 ASIL B认证,推动汽车照明安全革新

近日,纳芯微宣布其NSL21912/16/24FS系列线性LED驱动芯片正式通过国际权威检测机构DEKRA的功能安全评估,获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。这一成就标志着纳芯微在提升汽车照明系统可靠性和开发效率方面迈出了重要一步,特别是在对功能安全要求极高的应用场景中。权威认证:提...

2026半导体新范式:从AI狂热回归基础器件韧性

2026半导体新范式:从AI狂热回归基础器件韧性

当全球科技界仍在热议生成式AI与大模型的算力竞赛时,Microchip总裁兼CEO Steve Sanghi却发出冷静警示:真正的增长不在云端泡沫,而在汽车、工业与物联网等“沉默战场”的底层器件需求中。在2026年这一关键转折点,半导体产业正经历一场从“热点驱动”向“系统韧性”演进的结构性重塑...

太阳集团电子游戏2026年春节放假通知

2026-02-05热门太阳集团电子游戏2026年春节放假通知

尊敬的客户:时序更替,华章日新,2026年春节将至,感谢您一直以来对太阳集团电子游戏的信任与支持!根据国家法定节假日安排,并结合公司实际经营情况,现将本次春节放假相关事宜通知如下,以便您合理安排业务对接:一、放假时间2026年2月11日(周三)至2026年2月24日(周二),共计14天。二、复工时间2026年2月25...

2026-01-28热门骐骥开道聚荔乡,同心共赴新征途——太阳集团电子游戏2025尾牙年会圆满落幕

骏马踏春启新岁,同心聚力谱华章。2026年1月24日至25日,太阳集团电子游戏2025尾牙年会在广州市增城区麦客荔客精品民宿温情启幕,全体同仁暂别忙碌的工作节奏,以一场治愈身心的短途之旅,共赴团圆之约,共话往昔荣光,共启马年新程。这场以“骐骥开道,奋进新篇”为主题的盛会,不仅定格了无数温馨瞬间...

同芯聚力,致敬每一位奋斗者 | 太阳集团电子游戏2025年度表彰盛典

同芯聚力,致敬每一位奋斗者 | 太阳集团电子游戏2025年度表彰盛典

2026年1月23日上午,太阳集团电子游戏“韧行2025,智启2026——同心聚力,共赴新程”年度员工表彰大会在公司会议室隆重举行。全体同仁齐聚一堂,共同回顾2025年的拼搏历程,展望2026的发展蓝图,并对过去一年中表现突出的18位优秀员工予以隆重表彰。总结复盘,锚定方向会议伊始,管理层作年度工作总结...

太阳集团电子游戏秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

太阳集团电子游戏秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

2025年11月15日,秋意正浓,微风轻拂。太阳集团电子游戏的伙伴们暂别繁忙的工位,齐聚深圳罗湖·望桐露营地草坪区,开启了一场别开生面的户外草坪露营团建活动——“吹晚风、享轻松,共赴一场惬意的户外之约”。抽签组队,四色战队活力集结活动伊始,大家通过抽签随机分组,红队、蓝队、橙队、紫队迅...

MOSFET与达林顿管输入阻抗对比分析

2026-02-04热门MOSFET与达林顿管输入阻抗对比分析

在功率放大与开关电路设计中,输入阻抗是决定驱动电路复杂度、功耗和信号完整性的重要参数。MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)与达林顿管(Darlington Pair)作为两类主流功率器件,其输入阻抗特性存在本质差异,直接影响系统架构选择。1. MOSFET:极高输入阻抗,近乎理想电压控制MOSFET...

2026-02-04热门LDO稳压器:原理、效率及散热管理

低压差(LDO)稳压器是现代电子系统中不可或缺的组件,特别适用于那些需要高电源抑制比(PSRR)、低噪声以及紧凑尺寸的应用。本文将深入探讨LDO的工作机制、关键性能参数——尤其是压差电压与效率的关系,并讨论其在不同工作条件下的热设计考量。LDO工作原理详解LDO的核心在于通过一个误...

MOSFET在电力电子中的典型应用解析

MOSFET在电力电子中的典型应用解析

金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高开关速度、低导通损耗、电压驱动特性及易于并联等优势,已成为现代电力电子系统的核心功率开关器件。其应用覆盖从毫瓦级便携设备到千瓦级工业系统的广泛领域。1. 开关电源(SMPS)MOSFET是AC-DC和DC-DC转换器的主力开关元件。在反激式...

工业图像传感器供电设计:降压转换器原理与选型要点

工业图像传感器供电设计:降压转换器原理与选型要点

在工业相机系统中,电源设计直接影响图像传感器的噪声性能、动态范围和长期可靠性。由于CMOS图像传感器内部包含模拟前端、ADC、数字逻辑和高速接口等多个功能模块,各部分对电源电压、纹波和瞬态响应的要求差异显著,通常需采用多路独立稳压电源供电。本文从工程实践角度,解析降压转...

如何评估三端稳压器封装的散热性能?

2026-01-17热门如何评估三端稳压器封装的散热性能?

三端稳压器(如LM7805)虽结构简单,但其效率低、发热大,散热能力直接决定系统可靠性。而散热性能主要由封装类型和PCB设计共同决定。正确评估散热性能,可避免芯片过热关断或寿命缩短。1. 关键参数:热阻(θJA)热阻是衡量封装散热能力的核心指标,单位为℃/W,表示每瓦功耗引起的结温升高。常...

2026-01-15热门三端稳压器封装如何影响PCB设计?

三端稳压器(如78xx、79xx系列)因其结构简单、成本低廉,至今仍广泛用于各类电源电路。虽然只有输入(IN)、输出(OUT)和地(GND)三个引脚,但其封装形式——从经典的TO-220到小型SOT-223——对PCB布局、散热、可靠性和制造工艺有着深远影响。1. 散热能力决定是否需要散热器与铜箔设计最常见的...

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

在电源设计中,线性稳压器(尤其是LDO)的封装选择不仅关乎器件本身性能,更深刻影响PCB布局、散热、信号完整性和制造工艺。选型不当可能导致过热、噪声超标甚至焊接失效。1. 散热能力决定铜箔与焊盘设计通孔封装如TO-220可通过金属背板加装散热器,PCB只需预留安装孔;而表贴封装(如SOT-2...

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

优化 2SK2225-E(1500V/2A N沟道高压MOSFET,TO-3PF封装)的热设计,是确保其在高电压、高开关频率或连续工作条件下长期可靠运行的关键。尽管其额定电流仅为2A,但由于导通电阻较高(典型值约12Ω),在满载时导通损耗可达:即使实际应用中多为脉冲或轻载工况,仍需系统性地进行热管理。以下是针...

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